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光学晶片

硅片抛光的主要目的是去除硅片表面的微缺陷、应力损伤层以及金属离子等杂质污染,达到极高的表面平整度和粗糙度要求,从而满足微电子(IC)器件的制备需求。

       硅片抛光是一项复杂而精细的工艺过程,需要严格控制各项工艺参数和设备条件以确保硅片表面达到所需的加工质量。随着半导体产业的不断发展,对硅片表面的质量要求将越来越高,因此不断探索和开发新的抛光技术将是未来硅片加工领域的重要研究方向。

抛光陶瓷片的加工工艺:

         材料准备:选择高质量的陶瓷原材料,确保其具有良好的物理和化学性能。

         成型:通过压制、注塑等成型工艺将陶瓷原材料加工成所需形状的陶瓷片。

         烧结:在高温下对陶瓷片进行烧结处理,使其形成致密的多晶陶瓷体。

         粗磨:使用粗磨工具对烧结后的陶瓷片进行初步打磨,去除表面的毛刺和不平整部分。

         精磨:进一步使用细磨工具对陶瓷片进行精细打磨,以提高其光洁度和平整度。

         抛光:采用抛光机、抛光液等设备和材料对陶瓷片进行抛光处理,直至达到所需的光洁度和平整度。


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